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비주얼 브리프

삼성전자 - Beyond Memory

삼성전자의 Beyond Memory 전략을 정리한 인포그래픽. 왼쪽에는 1983년 D램 진입, 1992년 D램 세계 1위, 2013년 최초 V-NAND로 이어지는 메모리 리더십 연혁이 있고, 중앙에는 Memory·Logic·Foundry·Packaging을 통합하고 최적화하는 반도체 풀스택 구조가 배치되어 있다. 오른쪽에는 HBM4·AI Memory, 2nm GAA·Foundry, Custom AI·Advanced Packaging으로 확장하는 AI 반도체 전략이 있으며, 아래에는 브로드컴과의 차세대 AI 반도체 협력과 한국·미국·중국의 주요 사업 거점이 표시되어 있다.

삼성전자는 세계 메모리 반도체 시장을 이끌어온 대표 기업이다. 1983년 D램 사업에 진입한 뒤 1992년 D램 세계 1위에 올랐고, 2013년에는 세계 최초로 V-NAND를 양산하며 메모리 기술의 전환을 주도했다.

그러나 AI 시대의 반도체 경쟁은 메모리만으로 경쟁할 수 있는 시장이 아니다. AI 가속기의 성능을 높이려면 대규모 데이터를 빠르게 공급하는 메모리뿐만 아니라 이를 처리하는 로직, 첨단공정으로 칩을 생산하는 파운드리, 여러 칩을 고속으로 연결하는 첨단 패키징까지 발전해야 한다.

삼성전자는 이 네 영역을 모두 갖추고 있다.
Memory · Logic · Foundry · Packaging

메모리는 데이터를 저장하고 공급하며, 로직은 이를 연산한다. 파운드리는 첨단공정을 통해 로직 칩을 생산하고, 패키징은 로직과 HBM 같은 서로 다른 칩을 하나의 고성능 반도체 시스템으로 연결한다.

이러한 풀스택의 가치는 넓은 사업 영역보다 서로 다른 기술을 연계하고 함께 최적화할 수 있다는 데 있다.
Full Stack → Integration → Optimization

AI 반도체의 성능은 메모리 하나만 개선한다고 높아지는 것이 아니다. 로직의 연산 능력, 메모리 대역폭, 미세공정의 전력효율, 칩 간 연결 속도가 함께 맞아야 한다. 삼성전자는 각각의 영역을 연결하여 반도체 전체의 성능과 효율을 높일 수 있는 구조를 갖추고 있다.

Memory Leadership → Beyond Memory

삼성은 메모리에서 쌓은 경쟁력은 이제 AI 반도체로 확장되고 있다. 차세대 HBM4는 AI 연산에 필요한 대규모 데이터를 공급하고, 2nm GAA 공정은 고성능·저전력 로직 칩 생산을 담당한다. 여기에 Custom AI 칩과 Advanced Packaging을 결합하면서 메모리 중심의 경쟁력을 AI 반도체 전반으로 넓혀가고 있다.

브로드컴과의 전략적 협력에서도 이러한 변화가 나타난다. 삼성전자는 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 연계해 차세대 AI 반도체 시장을 공략하고 있다.